SamsungとNvidiaのCEOが次世代半導体ファウンドリについて協議

Samsungの半導体部門を率いる全永鉉氏がNvidiaのジェンスン・ファンCEOと会談し、次世代のファウンドリおよびメモリ製品における長期的な協力体制について協議しました。この会談では、自動運転やGroqのAIチップに関する継続的な連携に加え、将来のHBM4EやHBM5メモリ技術についても話し合われました。

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SAMSUNG ELECTRONICS CO LTDの半導体部門責任者である全永鉉(チョン・ヨンヒョン)氏は、韓国でNVIDIA CORPのジェンスン・フアンCEOと会談し、次世代ファウンドリ協力について協議した。この会談では、自動運転用チップや、HBM4EおよびHBM5を含む将来の高帯域幅メモリに焦点が当てられた。また、次世代の半導体製品に関する長期的な協力についても議論が及んだ。

全氏は、月曜日にソウルでこの会談が行われたことを認めた。両首脳は、現在のパートナーシップを自動運転やGroqのAIアクセラレータ・チップを超えて拡大することについて話し合った。

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