Samsung预计HBM占DRAM产能接近30%

Samsung Electronics预计,高带宽内存明年将占行业DRAM晶圆总产能的近30%。随着市场对用于人工智能计算的HBM需求持续扩大,这一增长可能会限制标准DRAM的供应。

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洞察:
2025年4月15日,在韩国首尔的一家公司门店内拍摄的Samsung Electronics标志。

据 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD 称,高带宽内存明年将占整个行业DRAM晶圆总产能的近30%。这一预测较目前的约20%大幅增长。这种转变凸显出人工智能硬件需求的激增正在重塑半导体制造业的优先事项。

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