Samsung vê HBM perto de 30% da capacidade de DRAM
A Samsung Electronics projeta que a memória de alta largura de banda alcançará quase 30% da capacidade de wafers de DRAM da indústria no próximo ano. O crescimento pode restringir a oferta de DRAM padrão, à medida que a demanda por HBM para computação de inteligência artificial continua a se expandir em todo o mercado.
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A memória de alta largura de banda alcançará quase 30% da capacidade total de wafers de DRAM da indústria no próximo ano, de acordo com a SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Essa projeção marca um forte aumento em relação aos cerca de 20% atuais. A mudança destaca como a crescente demanda por hardware de inteligência artificial está remodelando as prioridades de fabricação de semicondutores.
