Samsung ve a HBM cerca del 30% de la capacidad de DRAM
Samsung Electronics proyecta que la memoria de gran ancho de banda alcanzará casi el 30% de la capacidad de obleas de DRAM de la industria el próximo año. Este crecimiento podría limitar la oferta de DRAM estándar a medida que la demanda de HBM para computación de inteligencia artificial continúa expandiéndose en todo el mercado.
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La memoria de gran ancho de banda alcanzará casi el 30% de la capacidad total de obleas de DRAM de la industria el próximo año, según SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Dicha proyección marca un fuerte incremento frente a cerca del 20% actual. El cambio pone de relieve cómo la creciente demanda de hardware de inteligencia artificial está reconfigurando las prioridades de fabricación de semiconductores.
