Samsung تتوقع اقتراب HBM من 30% من طاقة DRAM
تتوقع Samsung Electronics أن تصل ذاكرة النطاق الترددي العالي إلى ما يقرب من 30% من طاقة رقاقات DRAM في الصناعة العام المقبل. وقد يحد هذا النمو من إمدادات DRAM القياسية مع استمرار توسع الطلب على HBM لحوسبة الذكاء الاصطناعي في جميع أنحاء السوق.
Xurve View
رؤى:
Xurve View
ستصل ذاكرة النطاق الترددي العالي إلى ما يقرب من 30% من إجمالي طاقة رقاقات DRAM في الصناعة العام المقبل، وفقًا لما ذكرته SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. ويمثل هذا التوقع زيادة حادة مقارنة بنحو 20% حاليًا. ويسلط هذا التحول الضوء على الكيفية التي يعيد بها الطلب المتزايد على أجهزة الذكاء الاصطناعي تشكيل أولويات تصنيع أشباه الموصلات.
