三星將在英偉達晶片中採用台積電技術

據一家南韓報章周日早上報道，SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD將使用TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFAC的3納米製程，為NVIDIA CORP的定製高頻寬記憶體晶片製造基礎晶片。該協議標誌著三星首次將HBM生產的製造環節外判予該台灣晶片代工廠商。英偉達要求供應商採用外部製造工藝，以實現各記憶體供應商之間的標準化實施。