三星将在英伟达芯片中采用台积电技术

据一家韩国报纸周日上午报道，SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD将使用TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFAC的3纳米工艺，为NVIDIA CORP的定制高带宽内存芯片制造基础裸片。该协议标志着三星首次将HBM生产的制造环节外包给这家台湾芯片代工厂商。英伟达要求供应商采用外部制造工艺，以实现各内存供应商之间的标准化实施。