长鑫存储启动新内存芯片量产

中国DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。该突破使公司能够以更低成本生产性能更强的芯片,向全球行业领头羊发起挑战。

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资料图片:2026年7月29日,中国北京,中国头部内存芯片制造商长鑫存储的标识出现在公司生产基地的外立面上。路透社/Maxim Shemetov/资料图片

中国的长鑫存储于周日上午启动其第五代DRAM平台的量产,向行业领军企业Samsung Electronics、SK Hynix和Micron Technology发起挑战。

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